Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7382DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7382DP
SI7382DP-T1-GE3 Hakkında
SI7382DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.7mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok