Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7382DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7382DP
SI7382DP-T1-E3 Hakkında
SI7382DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç kayıplı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.7mOhm maksimum RDS(on) değeri (10V, 24A koşullarında) ile verimli güç kontrolü sağlar. 40nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük voltajlı güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlamış güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok