Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7380ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7380ADP

SI7380ADP-T1-E3 Hakkında

SI7380ADP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 3mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlayabilir. Maksimum 5.4W (Ta) güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Bileşen güncel üretimde olmayan (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7785 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok