Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7374DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7374DP
SI7374DP-T1-GE3 Hakkında
SI7374DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 5.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanıma uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, şarj devreler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 122 nC gate charge ve düşük input kapasitansı (5500 pF) özellikleri ile hızlı komütasyon işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 23.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok