Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7374DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7374DP

SI7374DP-T1-E3 Hakkında

SI7374DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 24A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 10V gate voltajında 5.5mΩ on-resistance (Rds(On)) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 56W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 122nC gate charge ve 5500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. ±20V maksimum Vgs ratings ile geniş uygulama aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 23.8A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok