Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7368DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7368DP
SI7368DP-T1-GE3 Hakkında
SI7368DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 13A sürekli drain akımı (Id) ile donatılmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket tipinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 5.5mΩ maksimum açık durumda direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. PWM kontrolü gerektiren anahtarlama uygulamalarında, motor sürücü devrelerinde, power management sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük gate yükü (25nC) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Parçanın üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok