Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7368DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7368DP
SI7368DP-T1-E3 Hakkında
SI7368DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 5.5mΩ (10V, 20A koşullarında) düşük on-direnci sayesinde enerji verimli çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama güç kaynaklarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 1.7W güç tüketimi ile entegre devrelerle uyumlu çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok