Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7356ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7356ADP

SI7356ADP-T1-E3 Hakkında

SI7356ADP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamali güç uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 5.4W (Ta) ve 83W (Tc) güç yayılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6215 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok