Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7344DP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7344DP

SI7344DP-T1-E3 Hakkında

SI7344DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 11A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. 10V gate geriliminde 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve hız kontrolü sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Maksimum 1.8W güç tüketimine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok