Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7336ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7336ADP

SI7336ADP-T1-GE3 Hakkında

SI7336ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On @ 25A, 10V) ile düşük ısıl kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 5.4W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımları desteklemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok