Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7328DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK 1212-8
Seri / Aile Numarası
SI7328DN

SI7328DN-T1-E3 Hakkında

SI7328DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source voltajında 35A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 6.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç sahası yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±12V maksimum gate voltajı ile uyumlu kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2610 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.78W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 18.9A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok