Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7326DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7326DN
SI7326DN-T1-E3 Hakkında
SI7326DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 6.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajı paketi içinde sunulan SI7326DN, düşük açık direnç (19.5mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve anahtarlı güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.5W maksimum güç tüketim değeri ile kompakt tasarımlarda yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok