Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7317DN
SI7317DN-T1-GE3 Hakkında
SI7317DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK 1212-8 SMD paketinde sunulmaktadır. 1.2Ω maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.2W (Ta) güç dissipasyonuna dayanır. 9.8nC gate charge ve 365pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konverterlerinde ve load switching uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 365 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok