Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7315DN
SI7315DN-T1-GE3 Hakkında
SI7315DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilim ve 8.9A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 315mΩ maksimum on-state direncine sahiptir. -50°C ile +150°C arasında çalışabilen SI7315DN, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücü devrelerinde ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. 30nC gate charge ve 880pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Surface mount teknolojisi ile üretilen bu MOSFET, yoğun entegrasyon gerektiren tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok