Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7309DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7309DN
SI7309DN-T1-GE3 Hakkında
SI7309DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 115mΩ maksimum gate-source direnci (10V, 3.9A'da) düşük güç kayıpları ve verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve ters kutup koruması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok