Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7302DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7302DN
SI7302DN-T1-GE3 Hakkında
SI7302DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 220V drain-source gerilimi ve 8.4A maksimum drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK 1212-8 kompakt yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 320mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygunluk gösterir. Ürün mevcut durumu itibariyle üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 220 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok