Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7196DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7196DP
SI7196DP-T1-E3 Hakkında
SI7196DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliğine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bu transistör, 4.5V ve 10V sürücü gerilimi konfigürasyonlarında çalışır. Düşük gate charge değeri (38nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1577 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 41.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok