Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7190DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7190DP
SI7190DP-T1-GE3 Hakkında
SI7190DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 18.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde yerini bulur. 10V gate geriliminde 118mOhm maksimum drain-source direnci ile verimli işletme sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2214 pF @ 125 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok