Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7190ADP
SI7190ADP-T1-RE3 Hakkında
SI7190ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V Drain-Source gerilimi ve 4.3A (Ta) / 14.4A (Tc) sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük 102mOhm On-Resistance değeri sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan SI7190ADP, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, düşük gate charge ve input capacitance karakteristikleriyle hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok