Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7186DP
SI7186DP-T1-GE3 Hakkında
SI7186DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 32A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On) ile 10A/10V şartlarında 12.5mΩ değerine ulaşır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 64W güç saçabilir. 10V kapı sürme geriliminde 70nC kapı yükü ve 4.5V kapı eşik gerilimi karakteristikleriyle hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok