Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7186DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7186DP
SI7186DP-T1-E3 Hakkında
SI7186DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 12.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 70nC gate charge ve 2840pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maksimum 64W güç dağıtım kapasitesi (Tc) ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok