Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7178DP
SI7178DP-T1-GE3 Hakkında
SI7178DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 14mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI7178DP, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilen transistör, hızlı anahtarlama ve verimli enerji iletimi gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok