Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7172DP
SI7172DP-T1-GE3 Hakkında
SI7172DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve invertör uygulamalarında tercih edilir. 70mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate geriliminde 77nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok