Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7172ADP
SI7172ADP-T1-RE3 Hakkında
SI7172ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 50mOhm Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Maksimum 17.2A sürekli drain akımı (Tc'de) ile motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 125°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük kapı yükü (19.5nC) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok