Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7157DP
SI7157DP-T1-GE3 Hakkında
SI7157DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile sağlanır. 1.6mOhm düşük on-direnci (RDS On) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motorlu cihazlarda kullanılır. 625nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 625 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok