Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7156DP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7156DP

SI7156DP-T1-E3 Hakkında

SI7156DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.5mΩ'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde verimli güç dağılımı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 10V gate voltajda 155nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Bileşen üretilmeyen (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok