Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7155DP
SI7155DP-T1-GE3 Hakkında
SI7155DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 31A (Ta) / 100A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 3.6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi devrelerinde ve batarya kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 6.25W (Ta) / 104W (Tc) güç dağıtabiliyor.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok