Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7153DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7153DN
SI7153DN-T1-GE3 Hakkında
SI7153DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 18A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm maksimum gate-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketlemede sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetimi sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 52W maksimum güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok