Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7143DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7143DP
SI7143DP-T1-GE3 Hakkında
SI7143DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ maksimum on-resistance değeri düşük enerji kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -50°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimum performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 16.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok