Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7138DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7138DP
SI7138DP-T1-GE3 Hakkında
SI7138DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 7.8mΩ (10V, 19.7A) düşük on-resistance değeri sayesinde enerji dönüşüm sistemlerinde, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen, 5.4W (Ta) ve 96W (Tc) güç dağılım kapasitesine sahip bu MOSFET, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için tasarlanmıştır. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, yalnızca stok malzeme mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 19.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok