Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7135DP
SI7135DP-T1-GE3 Hakkında
SI7135DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, düşük on-direnç değeri (3.9mOhm @ 20A, 10V) ile enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Anahtarlama hızı, sürücü devresi tasarımı ve ısı yönetimi kritik olan DC-DC konvertörleri, güç dağıtım birimleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok