Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7123DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7123DN
SI7123DN-T1-GE3 Hakkında
SI7123DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3729 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok