Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7120DN
SI7120DN-T1-GE3 Hakkında
SI7120DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ile 6.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 19mOhm'luk on-state direnç (Rds) ile anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. 45nC gate şarjı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve koruma devresi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok