Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7120DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7120DN
SI7120DN-T1-E3 Hakkında
SI7120DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 19mΩ açık durumda direnç (RDS on) ile anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 45nC kapı yükü, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Ürün üretim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok