Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7120ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7120ADN
SI7120ADN-T1-GE3 Hakkında
SI7120ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 21mOhm (10V gate geriliminde) düşük RDS(on) değeri verimliliği artırır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 45nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok