Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7119DN-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7119DN
SI7119DN-T1-E3 Hakkında
SI7119DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında yer alır. 1.05Ω RDS(on) değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok