Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7117DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7117DN
SI7117DN-T1-GE3 Hakkında
SI7117DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drenaj-kaynak gerilimi ve 2.17A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω maksimum açık durumda direnç değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 12nC gate charge ile düşük anahtarlama kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok