Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7117DN
SI7117DN-T1-E3 Hakkında
Vishay SI7117DN-T1-E3, 150V drain-source voltajında çalışabilen P-Channel MOSFET transistördür. 2.17A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında gerilim anahtarlaması, yük kontrolü ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.2Ω maksimum on-direnci (Rds) ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışır ve 12nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç kaynakları, pil yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok