Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7116DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7116DN
SI7116DN-T1-GE3 Hakkında
SI7116DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 10.5A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 7.8mOhm'luk düşük RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama yapabilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge (23 nC) nedeniyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok