Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7116BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7116BDN
SI7116BDN-T1-GE3 Hakkında
SI7116BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 18.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (7.4 mOhm @ 16A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 5W (Ta) / 62.5W (Tc) güç dağılımı kapasitesine sahiptir. LED sürücüleri, batarya yönetim sistemleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.4A (Ta), 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok