Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7115DN
SI7115DN-T1-GE3 Hakkında
SI7115DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (295mΩ @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. -50°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında değerlendirilmesini sağlar. Gate charge değeri 42nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok