Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7114DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7114DN
SI7114DN-T1-GE3 Hakkında
SI7114DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11.7A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 7.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile güç uygulamalarında enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Düşük gate charge (19nC) karakteristiği hızlı anahtarlama gerektiren devreler için idealdir. Solenoid sürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç dağıtım uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 18.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok