Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7113ADN
SI7113ADN-T1-GE3 Hakkında
SI7113ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 10.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (132mOhm @ 10V) sayesinde güç kaybını minimuma indirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI7113ADN, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 16.5nC kapı yükü ve 515pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok