Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7111EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7111EDN
SI7111EDN-T1-GE3 Hakkında
SI7111EDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj değerine ve 60A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, PowerPAK 1212-8 surface mount paketinde sunulmaktadır. 8.55mOhm (4.5V, 15A) RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 52W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve ters polarite koruma devrelerinde kullanılır. 46nC gate charge ve 5860pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5860 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.55mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok