Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7108DN
SI7108DN-T1-E3 Hakkında
SI7108DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 14A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için kompakt bir çözüm sunmaktadır. PowerPAK® 1212-8 paketlemesi ile yüzey montajı destekler. 4.9mΩ (maksimum) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±16V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok