Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7107DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7107DN
SI7107DN-T1-GE3 Hakkında
SI7107DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile 9.8A sürekli drenaj akımına kapaklıdır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 10.8mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan SI7107DN, düşük sinyal seviyeleri ve kontrol uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 44nC gate yükü ve 1.5W maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlarda yer alan uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok