Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7107DN
SI7107DN-T1-E3 Hakkında
SI7107DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 9.8A sürekli drain akımı ile çalışır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10.8mΩ maksimum Ron değeri (4.5V, 15.3A'da) ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, inverter devreleri, motor sürücüleri ve analog anahtar uygulamalarında kullanılır. 1.5W maksimum güç tüketimi ve 44nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok