Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7106DN-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK 1212-8
Seri / Aile Numarası
SI7106DN

SI7106DN-T1-E3 Hakkında

SI7106DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 12.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 6.2mOhm on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok