Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7104DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7104DN
SI7104DN-T1-GE3 Hakkında
SI7104DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörü olup 12V drain-source voltaj kapasitesi ve 35A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu FET, 4.5V gate voltajında 3.7mOhm minimum drain-source direnç (Rds On) ile düşük iletim kaybı özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında, motor denetim sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 70nC gate yükü ve 2800pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlamayı destekler. 52W maksimum güç dağıtma kapasitesi (Tj'de) ile mobil enerji yönetim, endüstriyel kontrol ve otomotiv uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok