Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7104DN
SI7104DN-T1-E3 Hakkında
SI7104DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ile 35A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçış kaybı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 70nC gate charge ve 2800pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile geniş sürücü uyumluluğu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok